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②若条件控制不当，BaC0,也会沉淀.为避免EaMoO,,中混入BaC0,沉淀，当o0沉淀完全时，溶液中4C0moLl。4O滤液Ⅲ中，主要存在的钠盐有NaC和Y,Yy为②往滤液Ⅲ中添加适量NaC1固体后，通入足量6)高纯A1As(砷化铝)可用于芯片制造，芯片制造中的一种刻蚀过程如图所示，图中所示致密保护膜为一种氧化物，可阻止HO2刻蚀液与下层GaAs(砷化镓)反应。(填化学式)气体，再通入足量C02,可析出Y。H20刻蚀液光刻掩膜光刻掩膜然致密保护膜GaAs①该氧化物为AGaAs②已知：Ga和A1同族，As和N同族。在H2O2与上层GaAs的反应中，As元素的化合价变为+5价，则该反应的氧化剂与还原剂物质的量之比为28.(14分)高纯度硝酸高铈铵主要用作有机合成的催化剂和氧化剂、集成电路的腐蚀剂等。它的化学式为NH4)2CeNO3)6,易溶于水，几乎不溶于浓硝酸。实验室用CeCl溶液制备硝酸高铈铵的主要步骤如下：I.CeCl3与NH4HCO3反应制备Cez(CO3h,制备装置如图所示：NH,CI和Ca(OH)CeCl,浓液一稀盐酸大理石A将装置A和D中所产生的气体通入B装置一段时间，再将CC,溶液滴入下方反应后的溶液中，从而制备Cez(Co3)3固体。lel.已知：Ce3+易被空气氧化成Ce+。回答下列问题：(1)装置D中盛放稀盐酸的实验仪器名称为.装置C的作用是②若装置A和装置D中所产生的气体体积比超过1：，则B中会产生一种含饰的沉淀杂质，其化学式Cew)为剑置B中制备Ce,(C0办反应的离子方程式为9(C0力在装置B中沉淀，然后经静登、过滤，洗涤、干澡后即可得到纯品C©(C0,片，检验沉淀是否流深千净的方法为:制备硝酸高铈铵出试卷第8页，共12页